Чем отличается DDR3 от DDR3L? И ко всем ли платам DDR3L подходит? DDR3 и DDR3L. Разница между типами оперативной памяти

Чем отличается DDR3 от DDR3L? И ко всем ли платам DDR3L подходит?

1. Память DDR3L - низковольтная версия DDR3

   21.06.2008 11:45, Александр Будик
   Прогресс в полупроводниковой отрасли позволил проектировать более экономичные микросхемы оперативной памяти, отличающиеся пониженным напряжением питания ядра и схем ввода/вывода. Ассоциация JEDEC, определяющая ряд стандартов в электронной промышленности, заявила о разработке нового стандарта памяти DDR3L, который предусматривает питание от шины 1,35 В, что позволяет снизить потребляемую мощность примерно на 20% по сравнению с традиционными модулями DDR3 (1,5 В). Память DDR3L будет полностью совместима с устройствами, ориентированными на работу с DDR3. Пользователи смогут безо всякого риска использовать новые модули в современных материнских платах стандарт DDR3 предусматривает использование так называемых SPD-устройств, которые представляют собой микросхему EEPROM с зашитыми данными о характеристиках модуля памяти, в том числе и максимально допустимом напряжении питания. Новые модули, в зависимости от сферы применения, будут иметь следующие маркировки. Память для персональных компьютеров будет обозначаться как PC3L, а для встраиваемых систем предусмотрен индикатор EP3L. Как сообщил представитель компании AMD Джо Макрай (Joe Macri), возглавляющий комитет JC-42.3, JEDEC продолжает рассматривать предложения по дальнейшему снижению напряжения питания. Возможно, в обозримом будущем напряжение будет доведено до 1,25 В и даже ниже. Материалы по теме:

2. У DDR3L ниже напряжение вроде
3. Компания JEDEC сообщила о выходе нового стандарта оперативной памяти DDR3L. От обычного стандарта DDR3 он отличается лишь тем, что подразумевает работу планок памяти при условии подачи пониженного напряжения 1,35 Вольта вместо стандартных 1,5. По мнению JEDEC, ее новая разработка поможет существенно сократить суммарное потребление электроэнергии небольшого офиса или даже крупной компании, если переоборудовать все компьютеры, установив в них материнскую плату с поддержкой стандарта DDR3, поскольку DDR3L вставляется в те же самые слоты.

   JEDEC даже привела процентное соотношение энергоэффективности различных стандартов оперативной памяти. Если сравнить DDR3L и обычный DDR3, то разница составит 15 процентов в пользу первого, ну а если обратить внимание на показатели DDR3L и DDR2, то новый стандарт потребляет на целых 40 процентов меньше электроэнергии. Разработчики не стали сравнивать DDR3L с давно устаревшим DDR, считая это бессмысленной тратой времени. Область использования оперативной памяти нового стандарта очень широкая от обычных настольных компьютеров до мощных напольных серверов.

Разница между DDR3L и DDR3 заключается в энергопотреблении:

• DDR3L подходит для настольных ПК на чипсетах нового поколения Intel 3 Series, с питанием 1.35В.
• DDR3 - для устройств с напряжением 1.5В.

Экономия энергии DDR3L достигает до 15% относительно обычного модуля ОЗУ - DDR3, и 40% – DDR2 (1.8В). Но функциональные характеристики DDR3L сопоставимы с возможностями DDR3.

Критерии выбора

Скорость действия памяти определяется частотой и таймингами. С ее увеличением повышается производительность мощных профессиональных или игровых ПК. Конструктивно устройство представлено 2-мя отдельными модулями, поставляемыми в отдельных пластиковых пакетах, защищающих от пробоя статического электричества. DDR3 имеет функции транзисторов с двойным затвором Dual-gate, что снижает токи утечки. Минимальный размер запоминающего устройства DDR3 - 1 Гб, максимальный - 16 ГБ.

Частота памяти. Она определяет скорость ее действия. Но перед приобретением модуля важно предусмотреть поддержание процессором (1333 и 2133 МГц) материнской платой заданных параметров: от 2000 МГц до 3000 МГц. Узнать частоту памяти того или иного процессора можно на сайте производителя.

Тайминги. Типовая латентность для модуля DDR3 1333 МГц – CL 9, для высокочастотной памяти DDR3 – CL 11. Обычно низкие тайминги стоят дороже, что говорит об высоком уровне техпараметров. Чем меньше задержки между чтением/записью/копированием данных, тем лучше.

Важно знать! Для стабильной работы ноутбука рекомендуется установка одинаковых модулей оперативной памяти.

Отзывы пользователей

Галина Ручняк, 32 года, Ростов-на-Дону

Модуль DDR3 для десктопов (программ, способных записывать ввод данных и подключаться к интернету) подходят к большинству плат, но разница составляет в энергопотреблении и тепловыделении. Производительность DDR3L аналогична DDR3, при условии одинаковой частоты и таймингов. Но если подать на 1.5 на память с 1.35, тогда она будет перегреваться от избытка вольтажа, деградируют микросхемы.

Кстати, недавно смотрела цены материнок на одном популярном сайте и нашла целую статью, что Skylake плохо реагирует на DDR3 - происходит деградация контроллера памяти и ее выход из строя. Для Skylake идеальным вариантом станет LV DDR3 или DDR4.

Инна Крадкова, 27 лет, СПб

У меня ноутбук Асус K56CB, в нем ОЗУ DDR3, 4 Гб в одном из двух слотов, (второй свободен, вероятно). Я решила купить другой бук AcerAspire E3-112, где один слот и модуль DDR3L на 2 Гб. Хотела из Асуса переставить пластину на 4 Гб в Acer, а в ASUS поставить модуль 2 Гб из Acer, а потом добавить еще 1 память на 2 Гб и получится 4, так как двух недостаточно. Это позволило бы мне сэкономить на покупке 4гб планки и приспособить модуль на 2 Гб.
Когда подняла вопрос на одном из форумов, мне объяснили, что 4ГБ DDR3 на ноуте, где была установлена DDR3L, не запустится (ей нужно питание 1.5v, а материнская плата выдаст только 1.35v). DDR3L функционирует и на 1.35v и на 1.5v, она позволяет заменить любую планку.

Людмила Ростова, 31 год, Красноярск

Оперативка DDR3L идеально подходит для устройств, работающих с DDR3. Поэтому я рекомендую смело пользоваться новыми модулями в современных платах. DDR3 стандарт предусмотрен для SPD-устройств (перезаписываемых постоянных запоминающих устройств EEPROM). Исходя из области применения, новые модули могут отличаться маркировкой. Память для ПК обозначается, как PC3L, а для встраиваемых систем служит индикатор EP3L.

Видео

Оперативное запоминающее устройство, или ОЗУ, - это микросхемы для оперативного или временного хранения информации . Информация в ОЗУ сохраняется, пока на микросхему подается питание. При отключении питания информация теряется. Введи здесь текст

В англоязычной технической литературе такие устройства называют RAM - Random Access Memory, или памятью произвольного доступа.

Статические и динамические ОЗУ

Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.

Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер. Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны - когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот. Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.

Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный - 0. В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе. Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.

Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят - регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM - Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса - переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей - печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа - SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module - означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM - модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез - ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти - объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency - задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько - иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются , используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 - частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП . Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой - закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается .

• DDR - 2, 5 В.
• DDR2 - 1, 8 В.
• DDR3 - 1, 5 В.
• DDR4 - 1, 2 В.

В чем отличие DDR3 и DDR3l

На рынке можно найти модули с микросхемами DDR3l и DDR3. Разница в том, что DDR3L - это модернизированная версия DDR3. L- означает Low или по-русски низкий, пониженный. Микросхемы DDR3l могут работать на пониженном напряжении 1,35 В. Но могут работать и при обычном для DDR3 напряжении 1,5 В. Лучше использовать соответствующие модули по своему прямому назначению.

DDR3L может устанавливаться вместо DDR3, а наоборот - нет. Если напряжения питания модулей памяти равно 1,35 в, то такая материнская плата предполагает использование только модулей DDR3L, и установка обычных модулей DDR3 невозможна.

Большая часть компьютерных составляющих являются настолько сложными, что разобраться с тем, чтоони собой представляют, порой не могут даже более-менее продвинутые пользователи. Некоторые нюансы связаны также и с такими понятиями, как: DDR3 и DDR3L.

Под словами DDR, главным образом подразумевают такой тип компьютерной памяти, который массово используется в вычислительной технике в роли оперативной, либо-же видеопамяти. В настоящий момент времени предусмотрено сразу-же несколько разновидностей этой компьютерной составляющей.Некоторое время тому назад, активно пользовались DDR2, об существование которой, заявили в далеком 2003 году. В качестве некой основы, здесь используется передача данных по обоим срезам тактового сигнала. Именно благодаря ему, можно удвоить скорость передачи данных. Этот параметр объединяет его вместе с намного менее востребованными DDR1. Ну а вот тем параметром, который их между собой отличает является то, что работает новый тип памяти на частоте, что вдвое больше стандартной.

При всем этом, для того, чтобы существовала возможность обеспечить достаточно большой поток данных, их передача на шину, в одно и то самое время, осуществляется сразу-же из четырех мест. В настоящий момент времени, наиболее продвинутым стандартом памяти считается DDR3, об существование которого, впервые упомянули в 2010 году.

DDR3, являет собой синхронную динамическую память, которая имеет возможность похвастаться наличием произвольного доступа и удвоенной скоростью передачи данных, соответственно, этот тип памяти, относится к третьему поколению. В случае с ней, размер предпокачки увеличивается с 4 до 8 бит, что довольно таки существенно, согласитесь ведь. Его отличительной особенностью является то, что в случае с ней, потребление энергии является гораздо меньше, нежели в случае с модулями,присутствующими в DDR2. Обуславливается такое положение дел тем, что в DDR3, такой показатель составляет 1,5 В.


Возможно некоторым из вас это покажется весьма странноватым, но снижение напряжения питания, имеет место быть, благодаря тому, что в DDR3, предусмотрен уникальный техпроцесс, ключевым этапом которого должно считаться применение транзисторов, располагающих двойным затвором Dual-gate. Последний, кстати говоря, способствует существенному снижению токов утечки. Микросхемы производятся только в тех корпусах, которые принадлежат к типу BGA. Самой маленькой емкостью модулей памяти DDR3, должно составлять не меньше 1 Гб . Что касается максимальной емкости, то она гораздо выше, так как составляет 16 ГБ.

Помимо стандартной разновидности данного типа памяти, известно об существование DDR3L, в случае с которым,предусмотрен намного более низкий показатель напряжения. В нем этот показатель равняется 1,35 В. Ну а это, меньше традиционного для DDR3 на 10%.


В частности хотелось бы остановится на DDR3L. Преимущественное большинство производителей,ответственных за изготовление памяти такого типа, делают свой товар таким образом, чтобы он состоял из двух модулей. Каждый из них поставляется в отдельном пластиковом пакете, который в свою очередь, обеспечивает их надежную защиту от возможного пробоя статического электричества. Кстати говоря, для того, чтобы все прошло должным образом, вам следовало бы предусмотреть то, что вовремя осуществления установки соответствующих модулей, необходимы сделать все возможное для того, чтобы предотвратить разряд статического электричества.

Некоторые отличия предусмотрены также и в их маркировки . Так, к примеру, в случае с DDR3L, памятью для персональных компьютеров,будет использована маркировка PC3L . Принято считать, что этот стандарт, способен обеспечить более низкое энергопотребление и ввиду того, что сейчас в моду вошла экологичность, нету ничего удивительного в его необыкновенной популярности.

Чем отличаются типы оперативной памяти DDR3 и DDR3L?

Для того, чтобы подытожить все вышесказанное, считаем должным отметить то, что главное отличие двух этих типов памяти, сводится к их таймингам . Кроме этого, отличаются они также и своим стандартным напряжением. Так, в том случае, если у DDR3 этот показатель составляет 1.5 Вольта, то в DDR3L он снижен уже до 1.35 Вольта. Не следовало бы путать эти понятия также и с DDR3U, в котором предусмотрено сразу-же 1.25 Вольта.

За последние несколько лет мобильные процессоры сделали большой шаг в развитии, благодаря чему на рынке сохраняется довольно высокая популярность ноутбуков, неттопов и других компактных конфигураций. Поэтому вполне логично, что у многих пользователей возникает вопрос: «Зачем покупать громоздкий и шумный ПК, если можно обойтись тихим и компактным вариантом системы?». Особенно это актуально для тех, чей круг задач ограничивается серфингом в интернете, работой с офисными приложениями и просмотром фильмов.

Однако, как и любой другой конфигурации, компактной системе также необходимо быть сбалансированной. То есть ее компоненты не должны ограничивать возможности друг друга. Причем это касается абсолютно всех комплектующих, в том числе и оперативной памяти. Как правило, над ее выбором редко когда задумываются, ошибочно предполагая, что все комплекты одинаковые. Но, как и полноразмерные модули памяти, их компактные аналоги отличаются объемом, эффективной частотой работы и набором задержек. Все эти характеристики в большей или меньшей степени влияют на общую производительность системы. Поэтому исследование возможностей наборов оперативной памяти для компактных систем также является довольно актуальной задачей, особенно в наше время.

В данном обзоре мы познакомимся с комплектом DDR3L-1600 Transcend TS512 MSK64 W6 H . Его модули принадлежат к энергоэффективной серии, то есть способны работать при пониженном напряжении. Учитывая, что большинство компактных систем питаются от внешних адаптеров мощностью до 100 Вт, то перед их комплектующими ставятся более жесткие требования в плане энергопотребления. Если же говорить о ноутбуках, то энергоэффективность компонентов и вовсе является чуть ли не определяющим фактором.

Спецификация:

Упаковка и внешний вид модулей

Комплект DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H состоит из двух модулей, каждый из которых поставляется в отдельном пластиковом пакете. Такая упаковка обеспечивает их надежную защиту от пробоя статического электричества. При установке модулей также необходимо принять меры для предотвращения разряда статического электричества, о чем напоминает надпись на наклейке.

Память DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H принадлежит к типу SO-DIMM. По сравнению с обычными планками, SO-DIMM-модули уменьшены в размерах, так как зачастую используются в компактных устройствах: ноутбуках, неттопах и мини-компьютерах, построенных на основе материнских плат формата Thin-ITX / Mini-ITX. Длина модуля составляет всего лишь 67,6 мм, а высота - 30 мм.

Сами планки выполнены на текстолите зеленого цвета, с обеих сторон которого прикреплено по 4 чипа памяти. Отдельной системы охлаждения здесь не предусмотрено, что объясняется, во-первых, жестким ограничением размеров, а во-вторых - малым нагревом во время работы. Ведь изначально на память DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H подается пониженное напряжение питания 1,35 В.

Во время тестирования комплекта под продолжительной нагрузкой температура модулей составила 40,5°С, что примерно на 10°С ниже, чем у полноразмерных планок стандарта DDR3, работающих при напряжении 1,5 В. Как видим, разница довольно существенная. На всякий случай отметим, что согласно спецификации, максимальная температура воздуха, при которой набор DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H разрешается эксплуатировать, составляет 95°С.

Память каждого модуля набрана с помощью 8-ми чипов объемом 512 МБ каждый, производства компании Micron. На одной планке используются микросхемы с маркировкой D9QVG, а на второй - , которые отличаются между собой только ревизией. Судя по официальной документации, установленные чипы имеют скрытый потенциал. Поскольку среди прочих режимов работы числится и DDR3-1866 при таймингах 13-13-13. Иными словами, вместо заявленных 1600 МГц модули памяти DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H теоретически могут функционировать и на частоте 1866 МГц.

Идентифицировать микросхему SPD EEPROM по маркировке «4026 8305» не удалось.

На наклейке, обнаруженной на модулях памяти, имеется минимум информации. Указаны лишь эффективная скорость работы (1600 МГц), объем одного модуля (4 ГБ) и его конфигурация (1 ранг х 8 банков).

Более полную техническую информацию, как всегда, можно получить с помощью специальных утилит. Мы отказались от использования популярных программ AIDA64 и CPU-Z, так как они интерпретируют информацию из SPD по старому алгоритму и не всегда корректно. Чтобы избежать появления возможных неточностей, было решено задействовать утилиту Thaiphoon Burner, разработанную специально для диагностики модулей памяти. Ниже подан полный отчет о технических характеристиках модулей из комплекта памяти DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H.

Отметим возможность работы как при напряжении 1,35 В, так и при 1,5 В, вследствие чего значительно увеличивается их совместимость с доступными на рынке устройствами.

Тестирование

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Оппонентом в тестировании выступал набор памяти DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB объемом 4 ГБ (2 х 2 ГБ). Оба комплекта проходили тестирование в следующих режимах работы:

Анализ полученных графиков показал, что изменение параметров оперативной памяти влияет на быстродействие предложенной системы. Бенчмарк AIDA64 наглядно демонстрирует, что с увеличением скорости работы модулей существенно растет скорость копирования / записи / чтения из памяти. При переходе с частоты 1333 МГц на 1600 МГц эти показатели увеличились на 19% / 17% / 17% соответственно, а по сравнению со скоростью 1066 МГц прирост уже составлял 47% / 52% / 46%.

В остальных тестах увеличение производительности системы было значительно ниже и составляло примерно 3-10%. Что касается игровых приложений, то, несмотря на использование встроенного графического ядра, они практически никак не «отреагировали» на увеличение скорости памяти.

Если же сравнивать модули DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H и DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB, то оба комплекта шли «ноздря в ноздрю» и во всех тестах в одинаковых режимах работы демонстрировали сопоставимые результаты.

Разгон

Поскольку материнская плата Intel DQ77KB не позволяет поднять частоту оперативной памяти выше 1600 МГц, мы решили провести оптимизацию параметров модулей DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H на уровне задержек.

При той же скорости работы (1600 МГц) стандартный набор таймингов 11-11-11-28 был изменен на 10-10-10-25. Правда, при этом пришлось увеличить напряжение питания с 1,35 до 1,5 В.

На быстродействии системы такие манипуляции с параметрами памяти сказались следующим образом.

Средний прирост производительности составил всего лишь 1,84%, что, конечно же, не много. В реальных приложениях эта прибавка останется незамеченной и практически никак не повлияет на скорость выполнения подавляющего большинства задач. Исключением являются лишь некоторые игры и синтетические тесты.

Частота 1600 МГц, задержки - 11-11-11-28

Частота - 1600 МГц, задержки - 10-10-10-25

Как подтверждение этой мысли приводим результаты из оверклокерского бенчмарка SuperPi (32M), снятые до и после разгона оперативной памяти. Как видим, время прохождения теста немного улучшилось.

Чтобы убедиться в стабильности функционирования модулей после оптимизации параметров их работы, было использовано стандартное средство проверки памяти операционной системы Windows 7. После 36-ти циклов теста никаких ошибок не выявлено, что позволяет говорить об удачном разгоне и стабильной работе всей системы. Во время прохождения эксперимента мы также решили измерить температуру модулей памяти, которая составила 42,2°С. Это всего лишь на 1,7°С больше, чем в номинальном режиме работы.

Выводы

Если вы хотите собрать компактную, но в тоже время и производительную систему, или обновить игровой ноутбук, то комплект памяти DDR3L-1600 Transcend TS512 MSK64 W6 H будет отличным вариантом для этих целей. Он обеспечит объем 8 ГБ, что позволит держать в памяти одновременно несколько приложений или свернутую игру и быстро переключаться между ними. Эффективная частота модулей DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H составляет 1600 МГц, благодаря чему в некоторых случаях можно будет получить хоть и небольшое, но все же преимущество над аналогами, работающими на скорости 1333 МГц. При этом поддерживается напряжение питания 1,35 В и 1,5 В, что улучшает совместимость с компонентами системы, а также расширяет возможности памяти в плане оптимизации ее параметров. Как показала практика, даже простым понижением задержек можно в некоторых играх добиться 5%-ого прироста производительности (при использовании встроенного графического ядра). Однако никто не мешает вам производить разгон и по частоте, тем более что установленные здесь чипы Micron D9QVG / D9QBJ официально поддерживают скорость 1866 МГц.

Transcend за предоставленный для тестирования комплект памяти.

Выражаем благодарность компании Intel за предоставленное для тестового стенда оборудование.

Статья прочитана 16070 раз(а)